By - - 0 Comments

Luego de unas breves vacaciones, que espero hayan disfrutado (los que pudieron), entre una de las noticias más destacadas en esta ausencia fue la nueva  Memoria Flash 3D NAND que presentó Micron e Intel.

Micron e Intel Revelan Nueva Memoria Flash 3D NAND

Las nuevas memorias Flash 3D NAND usan celdas floating gatey que permite el desarrollo del dispositivo flash de más alta densidad que ya haya sido creado – con una capacidad tres veces mayor  que otros chips NAND en el mercado. Esta tecnología permite la existencia de SSDs  de formato gumstickcon más de 3,5 terabytes (TB) de almacenamiento y SSDs de tamaño estándar de 2,5 pulgadas con más de 10TB. Las innovadoras técnicas de arquitectura de procesos expanden la Ley de Moore para el almacenamiento flash, y proporcionan importantes mejoras de densidad al mismo tiempo que disminuyen el costo de la memoria NAND flash.

La tecnología 3D NAND tiene la capacidad de generar un impacto significativo al mantener las soluciones de almacenamiento flash alineadas con la Ley de Moore, es decir, el camino seguido para obtener mayor desempeño y menores costos de forma continua, y así lograr un uso más generalizado del almacenamiento flash.

Innovadora Arquitectura de Procesos

La nueva tecnología 3D NAND apila celdas flash de forma vertical en 32 capas para obtener una celda multinivel de 256 Gb y un chip de celda de nivel triple de 384 Gb que cabe en un formato estándar. Estas propiedades producen SSDs de formatogumstick con más de 3,5 TB de almacenamiento y SSDs de tamaño estándar de 2,5 pulgadas con más de 10 TB. Como la capacidad se obtiene mediante la superposición de las celdas de forma vertical, las dimensiones de cada celda pueden ser considerablemente más grandes. Con esto se espera que aumente tanto el rendimiento como la resistencia, y que incluso los diseños TLC sean apropiados para el almacenamiento de centro de datos.

Las principales características de esta nueva tecnología 3D NAND incluyen:

  • Grandes Capacidades – capacidad tres veces mayor que la de la tecnología 3D existente– hasta 48 GB de NAND por chip – lo que permite que tres cuartos de terabyte quepan en un formato único del tamaño de la punta de un dedo.
  • Menor Costo por GB –la primera generación de la tecnología 3D NAND está diseñada para obtener mayor eficiencia de costos que la tecnología NAND planar.
  • Rapidez –ancho de banda para lectura/escritura, velocidades E/S y rendimiento de lectura aleatoria muy elevados.
  • Ecología – Nuevos modos de descanso que logran un bajo uso energético al interrumpir la alimentación eléctrica de los chips NAND (incluso cuando otros chips en el formato están activos), lo que disminuye el consumo energético de forma significativa en el modo de espera.
  • Inteligencia – La versión MLC de 256Gb de la tecnología 3D NAND está siendo testeada actualmente con colaboradores seleccionados, y la versión TLC de 348Gb será testeada en los próximos meses del primer semestre. La línea de producción de fábrica ya ha comenzado las pruebas iniciales, y ambos dispositivos entrarán en etapa de producción durante el cuarto trimestre de este año. Ambas empresas también están desarrollando líneas individuales de soluciones en SSD basadas en la tecnología 3D NAND, y esperan que dichos productos estén disponibles en el transcurso del próximo año.